光刻機(jī)采購意向公告

發(fā)布時(shí)間： 2024-12-10

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采購公告詳情

replaceFlag 為便于供應(yīng)商了解采購信息，根據(jù)《物資服務(wù)集中采購需求管理暫行辦法》等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將光刻機(jī)的采購意向公開如下：序號(hào) 采購項(xiàng)目名稱需求概況初步技術(shù)參數(shù) 預(yù)算金額***預(yù)計(jì)采購時(shí)間備注 1 光刻機(jī) 采購內(nèi)容：采購光刻機(jī)2套，用于MEMS傳感器工藝加工。采購數(shù)量：2套主要功能或目標(biāo)：接近式光刻機(jī)：MEMS水聲傳感器核心設(shè)備，對(duì)6英寸硅基晶圓及其功能膜層進(jìn)行有掩膜微納加工，包括介質(zhì)層、功能層、電極層的圖形化。激光直寫光刻機(jī)：MEMS水聲傳感器核心設(shè)備，對(duì)6英寸硅基晶圓及其功能膜層進(jìn)行無掩膜微納加工，包括介質(zhì)層、功能層、電極層的圖形化；同時(shí)，滿足7英寸鉻掩膜版的制作。需滿足的要求：中標(biāo)人按照合同約定形式按時(shí)交付，合同簽訂后14個(gè)月內(nèi)完成交付。一、接近式光刻機(jī) (1)晶圓尺寸： 1)支持最大晶圓直徑為6英寸，向下兼容碎片； 2)支持硅基及第二、三代半導(dǎo)體等透明、半透明、不透明基底； 3)支持晶圓最大厚度≥2 mm。 (2)曝光系統(tǒng)： 1)曝光功率≥20 mW/cm2； 2)曝光模式包括硬接觸、軟接觸、真空接觸和接近式； 3)曝光間隙的調(diào)節(jié)范圍不限于1~999μm，調(diào)節(jié)分辨率≤1μm； 4)直徑為6英寸范圍內(nèi)，光強(qiáng)均勻性≤3%； 5)最小分辨率≤1μm。 (3)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)： 1)具有全自動(dòng)找平系統(tǒng)； 2)具有楔形補(bǔ)償功能； 3)正面對(duì)準(zhǔn)精度≤±0.5μm； 4)背面對(duì)準(zhǔn)精度≤±1μm； (4)工作臺(tái)： 1)配置電動(dòng)控制的X、Y、θ三軸對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)； 2) X/Y軸移動(dòng)范圍≥5 mm； 3)θ軸移動(dòng)范圍≥5°； 4) X/Y軸移動(dòng)精度≤0.1μm； 5)曝光接觸壓力可調(diào)節(jié)； 6)配備集成式防震臺(tái)。 (5)夾具： 1)晶圓夾具： 4英寸、6英寸的晶圓夾具各一套。 2)掩模版夾具：5英寸、7英寸掩模版夾具各一套。二。激光直寫光刻機(jī) 1)全新高精度激光直寫機(jī) 2)種類：半導(dǎo)體激光器 3)波長(zhǎng)：405nm 4)能量：300mW 5)使用壽命：≥20000小時(shí) 6)兼容9英寸(手動(dòng))/7英寸/6英寸光刻版，兼容8英寸/6英寸/4英寸/2英寸晶圓 7)支持最小襯底尺寸：5mmx5mm 8)可接受基材厚度：0~10mm 9)激光干涉儀：定位分辨率10nm 11)最小曝光線寬≤0.3μm 12)最小線寬間距≤0.5μm @0.3μm 13)線寬均勻度@最小分辨率≤80nm 14)有效曝光面積：≥200mm×200mm 15)直寫頭包含三種模塊，分別是0.3μm、0.6μm和1μm 16)最小特征尺寸制作0.3μm模塊描繪網(wǎng)格 [nm]：5 線寬斜邊粗糙度 [3σ,nm]：50 線寬均勻性[3σ,nm]：60 套刻對(duì)準(zhǔn)精度 [3σ,nm]：500 17)最小特征尺寸制作0.6μm模塊[3σ,nm] 描繪網(wǎng)格[nm]：10 線寬斜邊粗糙度：50 線寬均勻性：70 套刻對(duì)準(zhǔn)精度：500 18)最小特征尺寸制作1μm模塊[3σ,nm] 描繪網(wǎng)格 [nm]：50 線寬斜邊粗糙度：80 線寬均勻性：130 套刻對(duì)準(zhǔn)精度：500 19)背向?qū)?zhǔn)精度≤1μm 1,300.00 ******月無注：1.本次意向公開的采購意向僅作為供應(yīng)商了解初步采購安排的參考，采購項(xiàng)目具體情況以最終發(fā)布的采購公告和采購文件為準(zhǔn)； 2.供應(yīng)商可以通過采購平臺(tái)反饋參與意向和意見建議。聯(lián)系人：*** 聯(lián)系方式：***090 replaceFlag

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