熱光伏芯片（清采比選20250163號）采購公告

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采購公告詳情

熱光伏芯片（清采比選***號）采購公告發(fā)布時間：***閱讀量：26 次 ngIf: publish.type.substring(0, 2) == "YQ" ngIf: publish.type.substring(0, 2) == "BG" 采購項目名稱熱光伏芯片采購項目編號**** 公告截止時間****** 對外聯(lián)系人張艷咨***道已聯(lián)系電話 ***168 咨***道已簽約時間要求成交后7個工作日內(nèi) (如不按時簽訂合同，采購單位***) 交貨時間要求簽訂合同后30個工作日內(nèi) 采購單位 *** 最高限價***000.00 未公布國內(nèi)合同付款方式合同簽訂后50%，驗收合格后50% ngIf: enquiry.foreignPayWay 交貨地址 ***市*** 供應(yīng)商特殊資質(zhì)要求符合《政府采購法》第二十二條規(guī)定的供應(yīng)商基本條件 ngRepeat: qual in enquiry.quals 無公告說明 ngRepeat: item in enquiry.items 采購清單1 物資名稱采購數(shù)量計量單位所屬分類熱光伏芯片 2 套 {{item.categoryName}} 無無品牌品牌1 型號品牌2 型號品牌3 型號單價***7,500.00 技術(shù)參數(shù)及配置要求 1）在AM1.5G光照、芯片25℃的條件下測量芯片的電壓電流曲線，實現(xiàn)熱電轉(zhuǎn)換功能，電池轉(zhuǎn)換效率需達4%以上。 2）芯片外量子轉(zhuǎn)換效率需達65%以上。 3）芯片的缺陷密度需小于300cm-2，均方根(RMS)粗糙度需小于0.2nm（100μm*100μm），半峰全寬(FWHM)需小于25 arcsec。 4）襯底材料為GaSb，高摻芯片襯底濃度需為1e18cm-3，低摻芯片襯底濃度需為2e17cm-3；前電極材料為Ti和Au，后電極材料為Pd和AuGeNi。 {{tech.remark}} 質(zhì)保期 12個月 end ngRepeat: item in enquiry.items ****** ngRepeat: attach in publish.attach

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