序號(hào)

名稱

主要技術(shù)參數(shù)

主要附件

用途

數(shù)量

1

聚焦離子束掃描電鏡雙束系統(tǒng)

1.儀器用途：

1.1用于固體催化劑樣品的高分辨形貌觀測(cè)，樣品表面的精細(xì)加工，制備微納結(jié)構(gòu)。

1.2能夠?qū)φw催化劑顆粒進(jìn)行三維重構(gòu)。

1.3 配置能譜(EDS)和電子背散射衍射譜(EBSD)系統(tǒng)，可以測(cè)試催化劑表面和截面的EDS和EBSD譜圖。

1.4 能夠?qū)φw催化劑顆粒進(jìn)行減薄處理、TEM樣品制備、STEM測(cè)試。

2.儀器性能指標(biāo)

2.1電子束

2.1.1 最佳工作距離分辨率：1.4 nm @ 1 kV

*2.1.2 束交叉點(diǎn)分辨率：1.8 nm @ 1 kV

2.1.3加速電壓：0.4 kV- 30 kV，連續(xù)可調(diào)，包含電子束減速模式

2.1.4 能夠自動(dòng)合軸、自動(dòng)對(duì)中，自動(dòng)調(diào)節(jié)亮度與襯度、調(diào)焦和象散、動(dòng)態(tài)聚焦

2.1.5工作距離可調(diào)范圍不小于1 - 50 mm

2.1.6 單只電子槍壽命不少于1年

2.2 離子束

2.2.1 離子源種類：液態(tài)Ga離子源

2.2.2 交叉點(diǎn)分辨率：4.0 nm @ 30 kV

*2.2.4 共焦點(diǎn)距離：4 - 5 mm

2.2.5 加速電壓：0.4 kV - 30 kV

2.2.6 束流強(qiáng)度：1 pA - 100 nA

2.2.7 單只離子槍壽命不少于1000小時(shí)

*2.2.8 能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)催化劑樣品實(shí)時(shí)的邊切邊看功能

*2.2.9 能在共焦點(diǎn)位置***

2.3 樣品臺(tái)與真空系統(tǒng)

2.3.1 五軸或六軸全自動(dòng)、優(yōu)中心樣品臺(tái)

2.3.2 X、Y方向移動(dòng)范圍不低于100 mm

*2.3.3 配置高精度樣品臺(tái)，驅(qū)動(dòng)軸數(shù) ≥ 5，至少可在X、Y、Z、T、R軸精確移動(dòng)，X、Y方向全范圍內(nèi)精度：≤ 1.0 μm，確保在任意工作距離下傾轉(zhuǎn)感興趣點(diǎn)不發(fā)生位移，始終保持在視野中心

2.3.4 R軸旋轉(zhuǎn)范圍360°

2.3.5 T軸傾角范圍寬于0° - 50°

2.3.6 樣品室真空度低于8×10-4 Pa

2.3.7 換樣時(shí)間小于5分鐘

2.3.8 配備集成的等離子清洗系統(tǒng)，用于去除樣品表面及樣品室的污染

2.3.9 配備TEM銅網(wǎng)樣品座

2.4 探測(cè)器

2.4.1 配置鏡筒外二次電子探測(cè)器

2.4.2 配置鏡筒外背散射電子探測(cè)器

2.4.3 配置極靴內(nèi)/鏡筒內(nèi)二次電子探測(cè)器

2.4.4 配置極靴內(nèi)/鏡筒內(nèi)背散射電子探測(cè)器

2.4.5 樣品室紅外CCD相機(jī)

2.4.6 樣品室導(dǎo)航相機(jī)

2.5氣體注入系統(tǒng)

2.5.1配備2種可用沉積氣體，一種為Pt或W，另一種為C，兩種沉積氣體分別配備獨(dú)立的氣體注入器，可分別獨(dú)立操作與更換

2.5.2 可在離子束、電子束誘導(dǎo)下進(jìn)行金屬沉積

2.5.3 單支氣體使用時(shí)長(zhǎng)：≥ 100小時(shí)

2.6 能譜儀EDS

*2.6.1 牛津Ultim Max 65

2.6.2 分析型SDD硅漂移電制冷探測(cè)器

2.6.3 有效面積65 mm2

2.6.4 Be4- Cf98

2.6.5 能量分辨率：Mn Ka保證優(yōu)于127 eV(@計(jì)數(shù)率130,000cps)

2.6.6 電子圖像最高分辨率達(dá)8192*81924096*4096像素；可在電子***元素分布圖；可從面分布圖上進(jìn)行點(diǎn)、線譜圖重建

2.6.7 定量分析：采用XPP定量修正技術(shù)

2.6.8 具有完備的5 kV和20 kV兩個(gè)無(wú)標(biāo)定量數(shù)據(jù)庫(kù)

2.7 電子背散射衍射儀EBSD

*2.7.1 牛津C-Swift+

2.7.2 采用CMOS圖像傳感器技術(shù)，高效率、高分辨率光學(xué)系統(tǒng)，能夠與各主流型號(hào)的電鏡良好配合

2.7.3 在線采集速度2000點(diǎn)/秒，同時(shí)采集EDS和EBSD數(shù)據(jù)時(shí)互不影響

2.7.4 在250點(diǎn)/秒速度下，可以采集622*512像素的EBSD花樣

2.7.5 角度分辨率可達(dá)0.05°

2.7.6 配備主動(dòng)防碰撞系統(tǒng)，未接觸即可自動(dòng)退回探頭

2.7.7 配置正版HKL標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)庫(kù)和ICSD海量晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)

2.7.8 應(yīng)用軟件采用多任務(wù)設(shè)計(jì)，可以同時(shí)并行數(shù)個(gè)任務(wù)。操作軟件完全與能譜儀軟件一體化，可進(jìn)行EBSD晶體取向分布分析?？筛鶕?jù)能譜數(shù)據(jù)對(duì)EBSD花樣進(jìn)行預(yù)過(guò)濾，實(shí)現(xiàn)對(duì)未知相的相鑒定(Phase ID)，實(shí)現(xiàn)能譜EBSD同時(shí)聯(lián)機(jī)分析且不降速

2.8 STEM探測(cè)器

2.8.1 配置STEM探測(cè)器，能夠得到高角環(huán)形暗場(chǎng)像(HAADF)

2.8.2 STEM分辨率優(yōu)于0.7 nm @ 30 kV

2.9 樣品制備系統(tǒng)

*2.9.1 配置納米機(jī)械手(原廠或配置第三方牛津的OmniProbe 400納米機(jī)械手)，能夠進(jìn)行透射樣品制備，可邊操縱邊觀察，保證各向重復(fù)精度小于2 μm，同時(shí)可在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行360°旋轉(zhuǎn)

2.9.2 實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)制備TEM超薄樣品和高空間分辨率TKD樣品

2.9.3包含自動(dòng)切割、自動(dòng)提取、自動(dòng)焊接、自動(dòng)減薄等功能，能夠提取出單科具有特征性的催化劑顆粒，直徑約100微米

2.10 三維重構(gòu)

2.10.1具備三維重構(gòu)功能，最小自動(dòng)切片厚度小于3 nm

2.10.2 切片時(shí)能夠自動(dòng)進(jìn)行SEM自動(dòng)聚焦、自動(dòng)消像散等操作

2.10.3 配置三維重構(gòu)儀器控制軟件和三維數(shù)據(jù)重構(gòu)分析軟件，軟件支持電鏡多種數(shù)據(jù)的讀取和導(dǎo)出

2.10.4 只要廠家還對(duì)儀器支持，保證將軟件免費(fèi)更新至最新版本

2.11 其它配置

2.11.1 冷卻循環(huán)水系統(tǒng)1套

2.11.2 空氣壓縮機(jī)1套

2.11.3 與儀器配套的真空泵1套

2.11.4 UPS電源1套

2.11.5 主動(dòng)消磁器1套

2.11.6 儀器減震平臺(tái)1套

2.11.7 多功能控制面板(旋鈕盤)1套

2.11.8用于放置電腦、鼠標(biāo)、鍵盤、多功能控制面板(旋鈕盤)的工作桌1套

2.12 分析軟件

2.12.1包含分析儀器控制軟件與數(shù)據(jù)分析軟件，并包含軟件使用授權(quán)

2.12.2分析儀器控制軟件可數(shù)位化控制***元的關(guān)鍵部件，實(shí)現(xiàn)抽放空、離子束控制、電子束控制、樣品平臺(tái)移動(dòng)等功能

2.12.3 數(shù)據(jù)分析軟件可進(jìn)行圖片處理、尺寸量取、圖片拼接、三維重構(gòu)結(jié)果生成與渲染等功能，圖片格式包含但不限于TIFF、BMP、JPEG 格式

*2.12.4 配備大面積自動(dòng)拍照拼圖軟件

2.12.5 只要廠家還對(duì)儀器支持，保證將軟件免費(fèi)更新至最新版本

2.13 隨機(jī)工作站與顯示屏配置要求

2.13.1 主流品牌商務(wù)工作站3臺(tái)或以上，能夠流暢運(yùn)行儀器配套軟件。其中1臺(tái)工作站用于儀器控制，1臺(tái)工作站用于EDS和EBSD控制，另1臺(tái)工作站用于數(shù)據(jù)處理、三維重構(gòu)結(jié)果生成與渲染等

2.13.2 包含Windows 10或以上正版軟件

2.13.3 儀器控制、EDS和EBSD控制工作站配置要求：處理器Intel Core i5或以上，內(nèi)存不小于16 GB，硬盤容量不小于1T，多個(gè)USB接口，配備USB有線網(wǎng)卡、USB無(wú)線網(wǎng)卡、USB藍(lán)牙適配器、USB光驅(qū)、鼠標(biāo)、鍵盤

2.13.4 數(shù)據(jù)處理工作站配置要求：處理器Intel Core i7或以上，內(nèi)存不小于128 GB，獨(dú)立顯卡顯存16 GB以上，硬盤容量不小于4T，其中固態(tài)硬盤容量不小于2T，多個(gè)USB接口，配備USB有線網(wǎng)卡、USB無(wú)線網(wǎng)卡、USB藍(lán)牙適配器、USB光驅(qū)、鼠標(biāo)、鍵盤

2.13.5 顯示屏3臺(tái)或以上，每臺(tái)顯示屏分辨率不小于1080p，屏幕尺寸不小于24英寸

2.13.6 配備USB固態(tài)硬盤(不小于2T)4個(gè)，固態(tài)U盤(不小于64 GB)2個(gè)，網(wǎng)線4根，USB擴(kuò)展塢(不少于4個(gè)USB口)2個(gè)，網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)(不少于4個(gè)網(wǎng)絡(luò)接口)2個(gè)

3.儀器分析精度與驗(yàn)收指標(biāo)：

3.1 分別使用鏡筒外二次電子探測(cè)器、鏡筒外背散射電子探測(cè)器、極靴內(nèi)/鏡筒內(nèi)二次電子探測(cè)器、極靴內(nèi)/鏡筒內(nèi)背散射電子探測(cè)器、樣品室紅外CCD 相機(jī)、樣品導(dǎo)航相機(jī)拍攝樣品，保證測(cè)試過(guò)程與結(jié)果正常。

3.2 對(duì)用戶提供的單顆催化劑顆粒(直徑在100微米左右)進(jìn)行三維重構(gòu)，得到三維模型，測(cè)試過(guò)程與結(jié)果正常。

3.3 對(duì)用戶提供的催化劑顆粒進(jìn)行減薄處理，并進(jìn)行STEM和TKD的測(cè)試，測(cè)試過(guò)程與結(jié)果正常。

3.4 使用EDS和EBSD檢測(cè)器分析催化劑顆粒的表面和截面，測(cè)試過(guò)程與結(jié)果正常。

3.5 納米機(jī)械手的操作：從用戶的催化劑樣品中提取單顆催化劑顆粒，并焊接于銅網(wǎng)上，保證操作過(guò)程中沒(méi)有故障。

3.6 使用大面積自動(dòng)拍照拼圖軟件，拍攝并拼接催化劑全景圖。

3.7 提供鎵離子源壽命(≥ 1000小時(shí))的測(cè)試報(bào)告或功能截圖等技術(shù)支持性文件。

4.技術(shù)培訓(xùn)

4.1儀器安裝完畢后，對(duì)儀器的基本使用提供現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)。

4.2另提供至少2個(gè)線下培訓(xùn)課程的名額，對(duì)儀器的軟硬件使用提供系統(tǒng)培訓(xùn)。

隨機(jī)配置清單(標(biāo)配)：

1.雙束電鏡一套，包括以下：

(1)雙束電鏡主機(jī)1臺(tái)(包含電子束，離子束、鏡筒內(nèi)外二次電子探測(cè)器、鏡筒內(nèi)外背散射電子探測(cè)器、STEM探測(cè)器、紅外CCD相機(jī)、樣品導(dǎo)航相機(jī)、具備導(dǎo)航功能的樣品座、透射樣品臺(tái)、真空泵系統(tǒng)等)，(2)多功能控制面板/旋鈕盤1套，(3)牛津EDS探測(cè)器1套，(4)牛津EBSD探測(cè)器1套，(5)等離子體清洗系統(tǒng)1套，(6)氣體注入系統(tǒng)1套、Pt或W沉積氣體1套、C沉積氣體1套，(7)自動(dòng)納米機(jī)械手1套，(8)儀器操作與數(shù)據(jù)處理軟件1套，(9)三維重構(gòu)硬件和軟件系統(tǒng)1套，(10)大面積自動(dòng)拍照拼圖件和軟件系統(tǒng)1套，(11)工作桌1套，(12)減震臺(tái)1個(gè)，(13)主動(dòng)消磁器1套，(14)冷卻循環(huán)水系統(tǒng)1套，(15)空氣壓縮機(jī)1臺(tái)，(16)UPS不間斷電源1套，(17)說(shuō)明書及隨機(jī)資料1份，(18)電源線1套，(19)常用維修工具1套等。

2.除標(biāo)配外，另配耗材：(1)常規(guī)樣品平臺(tái)100個(gè)；(2)能夠滿足EDS和EBSD三維重構(gòu)的各種規(guī)格樣品臺(tái)不少于5個(gè)；(3)導(dǎo)電膠帶12卷；(4)導(dǎo)電銀膠3瓶；(5)制備TEM樣品的銅網(wǎng)500個(gè)；(6)高精度鑷子2把；(7)SEM樣品存放盒5個(gè)；(8)離子槍(包括離子源、抑制極、拔出極)額外配置1套，暫存于廠家處，需要更換時(shí)，由廠家免費(fèi)為用戶進(jìn)行更換，質(zhì)保期從更換完畢，且能夠正常使用之日開始計(jì)算；(9)Pt或W沉積氣體額外配置1套；(10)納米機(jī)械手W針20根。

3. 配備3套或以上的工作站與顯示屏。

此儀器用于測(cè)試固體催化劑樣品的形貌、組成和三維重構(gòu)

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