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　　 一、項目名稱

　　中國科學院微電子研究所集成式超鈍感半導體換能芯片工藝開發(fā)項目。   

　　二、單一來源外包理由說明    

　　中國科學院微電子研究所承擔了橫向項目“集成式超鈍感半導體換能芯片項目”，本項目致力于實現可集成至微系統微型引信設計與開發(fā)，通過核心技術攻關，完成用于點燃各種含能材料的橋式電起爆裝置的關鍵器件---半導體換能芯片的開發(fā)。本項目需完成電阻1.0Ω±01Ω，外形尺寸1.9mm×1.5mm×0.5mm，可耐受-100℃-200℃的溫度，半導體橋電極塞安全電流1.5A、2.25W、5min，發(fā)火電流達6A的芯片開發(fā)。***為工藝開發(fā)方，因此需要通過外包方式完成。   

　　***建有國內先進的6英寸0.5μm半導體集***路生產線、6英寸體硅MEMS器件生產線等七大工藝平臺，其中6英寸體硅MEMS器件生產線可滿足該芯片耐高溫工藝開發(fā)與驗證，所以集成式超鈍感半導體換能芯片工藝開發(fā)項目只能采用單一來源方式。   

　　三、***。    

　　四、征求意見期限從2021年8月23日至2021年8月27日止。    

　　本項目公示期為******月***日至******月***日。有關單位***，請在******月***日17:00（北京時間）之前以實名書面（包括聯系人、地址、聯系電話）形式反饋至中國科學院微電子研究所質量處，地址：北京***區(qū)北土***路3號，郵編：100029，聯系電話：***。   

　　                                                                                                                        中國科學院微電子研究所   

                                                                                                                                       ******月***日