Ga2O3器件加工（Dlmu-FS-20240977）單一來(lái)源公示

發(fā)布時(shí)間： 2024-12-13

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項(xiàng)目編號(hào)***Ga2O3器件加工公示時(shí)間：******月***日- ******月***日擬成交單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所采購(gòu)預(yù)算：***元采購(gòu)內(nèi)容：方案一工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片方案二工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片方案三工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片方案四工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場(chǎng)板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過(guò)刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長(zhǎng)5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽(yáng)極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片第一次測(cè)試內(nèi)容：選擇測(cè)試的電極尺寸：425μm，5個(gè)電極最中間的那個(gè) IV BV （1）結(jié)構(gòu):Cu/Cr/Au （2）結(jié)構(gòu):Cr/Cu/Cr/Au （3）結(jié)構(gòu):Al2O3/Cu/Cr/Au 第二次后續(xù)重新退火+電學(xué)測(cè)試： A.退火：選擇之前三個(gè)結(jié)構(gòu)中100℃退火的樣品片重新進(jìn)行氮?dú)鈿夥障?50℃快速熱退火。 B.電學(xué)測(cè)試：（1）對(duì)Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩種結(jié)構(gòu)中未退火的樣品片，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV，BV測(cè)試。（2）對(duì)Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩個(gè)結(jié)構(gòu)中重新進(jìn)行450℃快速熱退火的兩個(gè)樣品，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV，BV測(cè)試。單一來(lái)源理由：本次采購(gòu)的氧化鎵器件加工，需要將4吋的氧化鎵晶圓切割成8×8mm的方形小片，并在此基礎(chǔ)上利用8×8mm的氧化鎵小片為襯底制備氧化鎵功率器件。器件的加工需要在超高真空下進(jìn)行，同時(shí)需要采用PECVD生長(zhǎng)300nm厚SiO2并按照版圖進(jìn)行光刻，采用ALD生長(zhǎng)5nm的TiN或TiO2薄膜，采用電子束蒸發(fā)方法來(lái)沉積Cu/Au或Ni/Au，而且加工時(shí)需要適當(dāng)?shù)幕訜釡囟?，加工過(guò)程需要特定的綜合工藝制備方案。另外根據(jù)圖形化需求，需要加工單位***。經(jīng)調(diào)研，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（蘇納所）的納米加工平臺(tái)長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料與器件、工藝相關(guān)研究，并且在氧化鎵制備中發(fā)表多篇高水平論文和申請(qǐng)相關(guān)專(zhuān)利多項(xiàng)，具備豐富的工藝開(kāi)發(fā)和整合經(jīng)驗(yàn)，適于承接該類(lèi)研發(fā)器件代工工藝技術(shù)支持與搭載流片服務(wù)（特別適合于具有實(shí)驗(yàn)性質(zhì)的器件加工）。因此，蘇納所的加工平臺(tái)是目前唯一能夠滿足本次器件加工要求并愿意提供加工服務(wù)的單位。擬采用校內(nèi)單一來(lái)源方式采購(gòu) 論證小組成員：曹菲,宋延興,張維有關(guān)單位***，應(yīng)在公示期內(nèi)以書(shū)面形式向大連海事大學(xué)招投標(biāo)與采購(gòu)中心反映。聯(lián)系人：*** 聯(lián)系電話：*** 國(guó)有資產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)室管理處招投標(biāo)與采購(gòu)中心

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